# PECVD 管式爐

CVSIC 1200℃ PECVD 管式爐專為研究與工業上的 PECVD 製程而設計。它具有高純度氧化鋁纖維腔體、電阻線加熱，最高溫度為 1200℃（建議 ≤1100℃）。RF 等離子源可降低反應溫度並提昇沉積速率。三重質量流量控制器和氣體混合系統可精確控制氣體流量，以利薄膜生長。

此機型提供 50 段可程式控制，精確度為±1°C。其雙層設計可將表面溫度維持在 50°C 以下，低真空系統可確保製程穩定性。預熱區可改善薄膜品質與均勻性。CVSIC PECVD 管式爐支援沉積、奈米材料合成和電漿製程，適用於研究或小規模生產。

## CVSIC PECVD 管式爐應用

CVSIC PECVD 管式爐廣泛應用於下列領域和製程：

- 薄膜沉積：金屬薄膜、陶瓷薄膜、複合薄膜及半導體薄膜的製備，應用於太陽能光電及微電子產業。

- 奈米材料合成：合成高效能奈米材料，如奈米碳管、石墨烯及矽奈米線。

- 鋰電池材料：電池電極材料的 PECVD 鍍膜製程，以增強效能和穩定性。

- 陶瓷與複合材料：陶瓷與複合薄膜在高溫條件下的鍍膜與熱處理。

- 研究應用：由大學和研究機構用於新材料開發和電漿製程研究。

- 等離子清洗與蝕刻：支援表面清洗與微觀結構蝕刻，以符合精密加工需求。

## CVSIC PECVD 管式爐特點

- 高沉積速率：射頻電漿 (13.56 MHz, 500W) 可達每秒 10Å 的沉積速度。

- 優異的均勻性：多點 RF 與氣體饋入可達到 8% 以內的薄膜均勻度。

- 高度一致性：設計確保基板間的差異小於 2%。

- 穩定的製程：設備可確保持續的 PECVD 作業。

- 精確溫度控制：50 段 PID 控制，精確度 ±1℃，均勻度 ±5℃。

- 高真空：終極真空為 7×10-⁴ Pa；最大 -0.1 MPa。

- 安全性：過溫/漏液自動關機；表面氣冷至 =70%
| 功率因素 >=90%
| 冷卻方式 | | 強制送風

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PECVD爐三組精密質量流量控制系統

| 外型尺寸 | 600x600x650mm
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接頭類型 | | 世偉洛克 SS 接頭 | | 標準量程 (N2)
| 標準量程 (N2) | | 0~100sccm, 0~200sccm, 或可客製化
| 精確度 | | ±1.5%
| 線性精度 | | ±0.5～1.5% |
| 可重複性 | | ±0.2%
| | 反應時間 | | 氣體特性：1～4 秒
| | 電氣特性：10 秒
| 壓力範圍：0.1～0.5 MPa
| 最大壓力：3MPa
| Φ6,1/4” | | | | | | | | | | | | | | | | | 界面
| 4 位數顯示
| 5~45 高純度氣體
| 壓力錶 | | -0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/單位
| 停止閥 Φ6
| Φ6 拋光 SS 管
| | 含低真空系統

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