PECVD 管式爐

CVSIC 1200℃ PECVD 管式爐專為研究與工業上的 PECVD 製程而設計。它具有高純度氧化鋁纖維腔體、電阻線加熱，最高溫度為 1200℃（建議 ≤1100℃）。RF 等離子源可降低反應溫度並提昇沉積速率。三重質量流量控制器和氣體混合系統可精確控制氣體流量，以利薄膜生長。

此機型提供 50 段可程式控制，精確度達 ±1°C。其雙層設計可將表面溫度維持在 50°C 以下，低真空系統可確保製程穩定性。預熱區可改善薄膜品質與均勻性。CVSIC PECVD 管式爐支援沉積、奈米材料合成和電漿製程，適用於研究或小規模生產。

CVSIC PECVD 管式爐應用

CVSIC PECVD 管式爐廣泛應用於下列領域和製程：

• 薄膜沉積：金屬薄膜、陶瓷薄膜、複合薄膜和半導體薄膜的製備，適用於太陽能光電和微電子產業。
• 奈米材料合成：高性能奈米材料的合成，如奈米碳管、石墨烯和矽奈米線。
• 鋰電池材料：電池電極材料的 PECVD 鍍膜製程，以提升效能與穩定性。
• 陶瓷與複合材料：陶瓷與複合薄膜在高溫條件下的沉積與熱處理。
• 研究應用：由大學和研究機構用於新材料開發和電漿製程研究。
• 等離子清洗及蝕刻：支援表面清洗及微觀結構蝕刻，以滿足精密加工需求。

CVSIC PECVD 管式爐特點

• 高沉積速率：RF 等離子 (13.56 MHz, 500W) 可達每秒 10Å 的鍍膜速度。
• 優異的均勻性：多點 RF 與氣體饋入可達到 8% 內的薄膜均勻性。
• 高一致性：設計確保基板間的差異小於 2%。
• 穩定的製程：設備保證連續的 PECVD 作業。
• 精確溫度控制：50 段 PID 控制，精確度 ±1℃，均勻度 ±5℃。
• 高真空： 7×10-⁴ Pa 的極限真空；最大 -0.1 MPa。
• 安全：過溫/漏水自動關機；表面氣冷至 <50°C。
• 耐用的結構：可調式凸緣可延長管件壽命，並減少維護工作。

客製化服務

相信 CVSIC 能提供全面的客製化服務，確保您 PECVD 製程需求的每個面向都能以專業的方式搭配，達到最佳效果：

• 爐管客製化：管徑（預設 100mm，可客製化）和加熱區長度（220-1650mm）。
• 真空系統：支援旋片泵、擴散泵或分子泵，以滿足高真空 (7×10-⁴ Pa) 需求。
• 氣體控制：可客製化的三通道或多通道質量流量控制器（0-100 sccm、0-200 sccm 或客製化範圍）。
• 控制系統：選購的 7 吋 HD 觸控螢幕、PC 連線軟體和資料記錄功能。
• 附加功能：可擴充等離子清洗、蝕刻或其他特殊製程模組。
• 全球支援：安裝指導、操作訓練和維護服務可確保長期穩定運作。

PECVD 管式爐配件

標準配件

• 阻塞管：4 件
• 爐管：1 件
• 真空泵：1 台
• 真空密封法蘭：2 組
• 真空計：1 個
• 氣體輸送與真空泵系統：1 套
• 射頻電漿設備：1 套

選購配件

• 真空系統：旋片機械泵、擴散泵、分子泵
• 法蘭配件：快拆法蘭、三通法蘭
• 控制系統：7 吋 HD 觸控螢幕

CVSIC PECVD 管式爐規格

CVSIC PECVD 管式爐是高效率、高精度薄膜沉積的基石，可讓您掌握優勢。立即聯絡我們，取得量身訂做的報價、詳細的技術手冊，或探索客製化解決方案。依靠我們專業團隊的全力支援，確保您的設備在實驗或生產上取得超乎預期的成功。