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W 形 MoSi2 加熱元件

W 形 MoSi2 加熱器、棒材、條材

CVSIC W型二矽化鉬(MoSi2)發熱元件,最高可達1850℃,耐高溫、抗氧化,非常適合陶瓷、電子、鋰電池及大型高溫爐使用。提供全球批發、客製化及 OEM/ODM 服務。聯絡我們索取免費樣品!

  • 材質:二矽化鉬 (MoSi2)
  • 形狀:W 型
  • 電源供應器: 220-480V
  • 等級: 1700/1800/1850
  • 直徑:3/6, 4/9, 6/12, 9/18, 12/24 mm 或客製化
  • 密度:5.5-6.2 g/cm³
  • 彎曲強度:15-25 kg/cm³
  • 維氏硬度:570 kg/mm²
  • 孔隙率: 7.4%
  • 吸水率: 0.2%
  • 熱伸長: 4%

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W 形 MoSi2 加熱器 產品描述

CVSIC W型二矽化鉬(MoSi2)發熱元件形狀如 "W",由高純度MoSi2以先進的熱彎技術及獨特配方製成,密度為5.5-6.2 g/cm³,最高工作溫度為1850℃。其「三U型」設計,擁有均勻的弧度、較寬的中心間距、較高的熱端密度,非常適合在大型電窯中水平安裝。鋁塗層的冷端可確保強大的傳導性,而特殊的表面塗層可提高抗熱震性和壽命。它非常適合陶瓷、電子、鋰電池和高溫加工。

直徑 (d/c,mm)Le(熱區) 長度Lu(冷區) 長度c(mm)d(mm)f(mm)g(mm)A(mm) 標準/最小值
3/6可自訂可自訂63251525/16
4/9可自訂可自訂94251525/19
6/12可自訂可自訂126452550/26
9/18可自訂可自訂189753060/38
12/24可自訂可自訂24121004080/54

註:尺寸公差 ±5%(c 和 d 除外),Lu 長度 150-1000mm,Le 長度 150-1500mm,可客製化。

MoSi2 加熱元件電阻與時間的關係

Mosi2 加熱元件電阻與時間的關係

氣氛等級 1700等級 1800等級 1850
NO2、CO2、O2、空氣1700℃1800℃1850℃
He、Ar、Ne1650℃1750℃1800℃
SO21600℃1700℃1750℃
CO、N21500℃1600℃1700℃
濕式 H21400℃1500℃1650℃
乾式 H21350℃1450℃1600℃

  • 電阻率會隨著溫度快速增加,在低溫時可提供高功率,加速加熱;在高溫時,功率會下降,將過熱風險降至最低。
  • 隨著時間的推移,電阻率保持穩定,最初會略有下降 (≈5%) ;新舊元件可一起使用。

訂購資訊

訂購 W 型 MoSi2 加熱元件時,請提供下列參數:

  • 材質等級: 1700/1800/1850
  • d/c:熱區/冷區直徑 (mm)
  • Le:熱區長度 (mm)
  • :冷區長度 (mm)
  • A:刀柄間距 (mm)
  • 範例:W 型,1800 等級,d/c=3/6mm,Le=140mm,Lu=125mm,A=25mm,表示為:1800/W-Type/3/6x140x125x25
W 型 mosi2 加熱元件圖

註:如需其他規格或客製選項,請與我們聯繫。

W 形 MoSi2 棒連接方法

  • 聯絡表面設計:兩個冷端都鍍有鋁,接觸阻抗低,導電效率高。
  • 電氣連接:使用扁平鋁製編織帶和彈簧夾固定,與 220-480V 電源相容;使用 SCR 穩壓器 (用於精確溫度控制) 以獲得最佳效果。
  • 注意事項:確保連接器緊貼冷端,連接端電壓 <0.01V;根據氣候類型選擇合適的材料等級 (1700/1800/1850)。

W 形 MoSi2 元件應用領域

CVSIC W 型 MoSi2 加熱元件廣泛應用於下列領域:

  • 大型高溫爐:支援陶瓷燒結、玻璃製造及高密度佈局製程。
  • 電子半導體:用於晶圓燒結、擴散爐和封裝材料加熱。
  • 鋰電池材料:有助於電池陽極和陰極材料的高溫加工。
  • 稀土螢光粉與精密鑄造:提供高溫穩定性和均勻加熱。
  • 實驗室爐:符合高溫實驗及材料測試需求。

CVSIC W 形 MoSi2 加熱器產品優勢

  • 超高耐溫:工作溫度高達 1850 °C,是極端環境的理想選擇。
  • 高抗氧化性:高密度 MoSi2 (5.5-6.2 g/cm³),具有特殊塗層,可確保一流的抗氧化性和長壽命。
  • 快速且穩定的加熱:4% 熱延伸率可提供均勻的溫度場、快速加熱及更短的暖爐時間。
  • 抗熱衝擊:W 型「三 U 形」設計,具有均勻的曲率,可提供強大的抗蠕變和抗熱震性能。
  • 能源效率:寬中心間距和高熱端密度可減少配線,並降低冷/熱端介面損耗。
  • 耐腐蝕性:低孔隙率(7.4%)和吸水率(0.2%)使其適合於各種氣候,提高了其耐用性。
  • 穩定的電阻率:電阻率隨時間保持不變,可混合使用新舊元件。
  • 全球服務:: ISO 認證工廠,年產能 360 噸,提供免費樣品,7-30 天交貨。

W 形 MoSi2 棒安裝方法

為確保 W 型 MoSi2 加熱元件的性能和安全性,請遵循以下步驟:

  1. 檢查元件:安裝前請檢查是否有裂縫或損壞,以確保表面塗層完好無損。
  2. 安裝位置:水平設置,三個 U 形彎頭由剛玉墊磚支撐,將冷端插入爐中,保持過渡區不外露,以避免過熱損壞。
  3. 間距設計:與爐壁和材料保持足夠的距離(至少為熱端直徑的 3 倍),以防止熱量積聚。
  4. 固定裝置:使用陶瓷或耐熱鋼夾固定冷端,並以剛玉墊磚支撐三個 U 型彎頭,以避免機械應力。
  5. 電源連接:使用扁平鋁編織帶和彈簧夾將冷端與電源連接,確保接觸穩固且電壓 <0.01V。
  6. 預熱:首次使用時,請逐漸提升功率,以避免熱震盪。
  7. 定期保養:運轉 2-3 小時後,檢查並重新鎖緊連接螺絲,以計算熱放鬆。定期檢查夾子和剛玉墊片是否穩固。

更換階梯

  1. 找出損壞的元件並準備一組替換元件。
  2. 中斷電源,取下鋁編和連接螺絲,清除耐火材料和插頭。
  3. 從爐頂插入新元件,確保剛玉墊磚放置正確。重新連接電線,並重新填充耐火材料。
  4. 逐漸加熱以確保正常運作。

注意事項:應由專業人員進行安裝和更換。如需詳細指導,請聯絡我們。

W 形 MoSi2 棒材設計建議

要優化 W 型 MoSi2 加熱元件的性能,請遵循以下建議:

  • 長度匹配:確保 Lu (150-1000mm) 和 Le (150-1500mm) 與爐子尺寸相符,避免熱端插入爐壁。
  • 鉚釘間距設計:根據直徑選擇一個值 (標準值或最小值),以獲得最佳的熱端密度和穩定性。
  • 氣氛選擇:參照最高溫度表,根據氣氛(如 O2、N2、H2)挑選 1700/1800/1850 等級。
  • 間距設計:在元件和爐壁/材料之間保持至少三倍於熱端直徑的間隙,中心對中心間距至少四倍於直徑,以優化熱量分佈。
  • 溫度控制系統:利用 PID 控制器進行精確的溫度控制,以延長元件的使用壽命。
  • 支援設計:使用剛玉墊磚支撐三個 U 型彎頭,確保荷重分布均勻,防止變形。

客製化服務

CVSIC 為 W 型 MoSi2 加熱元件提供彈性的客製化服務:

  • 尺寸客製化:調整熱區/冷區直徑、Lu/Le 長度及柄部間距 (A)。
  • 等級選擇:提供 1700/1800/1850 等級,以滿足不同氣氛和溫度需求。
  • 特殊塗層:提供抗氧化塗層,可在嚴苛環境中提升效能並延長使用壽命。
  • OEM/ODM 服務:支援大量批發、免費樣品、無最低訂購量,以及 7-30 天的交貨期。
  • 技術支援:提供專家指導,並針對選擇和設定進行熱模擬。
  • 如需客製化解決方案或免費樣品,請聯絡我們!

CVSIC 專注於提供一流的 W 型 MoSi2 加熱元件,以優化陶瓷、電子、鋰電池及廣泛的高溫爐製程。如需瞭解產品報價和客製化服務,或索取有助於提升您的加熱效率的免費樣品,請聯絡我們。

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  • 形狀:直型/I 型
  • 電源供應器: 220-480V
  • 等級: 1700/1800/1900
  • 直徑:3/6, 4/9, 6/12, 9/18, 12/24 mm 或客製化
  • 密度:5.5-6.2 g/cm³
  • 彎曲強度:15-25 kg/cm³
  • 維氏硬度:570 kg/mm²
  • 孔隙率: 7.4%
  • 吸水率: 0.2%
  • 熱伸長: 4%

U 型加熱棒

U 形 MoSi2 加熱棒

  • 材質:二矽化鉬 (MoSi2)
  • 電源供應器: 220-480V
  • 等級: 1700/1800/1850
  • 直徑:3/6, 4/9, 6/12, 9/18, 12/24 mm 或客製化
  • 密度:5.5-6.2 g/cm³
  • 彎曲強度:15-25 kg/cm³
  • 維氏硬度:570 kg/mm²
  • 孔隙率: 7.4%
  • 吸水率: 0.2%
  • 熱伸長: 4%
L 型 Mosi2 加熱器

L 形二矽化鉬棒

  • 產品規格
  • 材料:二矽化鉬 (MoSi2)
  • 形狀:L 型
  • 電源供應:220-480V
  • 等級:1700/1800/1850
  • 直徑:3/6、4/9、6/12、9/18、12/24 mm 或客製化
  • 密度:5.5-6.2 g/cm³
  • 彎曲強度:15-25 kg/cm³
  • 維氏硬度:570 kg/mm²
  • 孔隙率:7.4%
  • 吸水性:0.2%
  • 熱伸長率:4%

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