CVD 管式爐

CVSIC 真空實驗室 CVD 管式爐專為化學氣相沈積和高溫熱處理而設計，服務於大學實驗室、研究機構和製造商。採用高純度陶瓷纖維腔體、堅固的電阻線或棒，以及高純度石英管或氧化鋁管，溫度最高可達 1600℃，同時保持高真空和精確的氣流控制。不銹鋼法蘭可確保純淨的環境和高效的結果。

此系統具備 50 段可程式控制、雙層空冷及 ±1°C 精度，可支援先進的沉積與熱處理。它整合了氣體混合與流量控制，是高精度研究與小量生產需求的理想選擇。

CVSIC CVD 管式爐應用

CVSIC 真空 CVD 管式爐為各種先進的科學、工業和製造應用開啟了新的可能性：

• 薄膜沉積：用於製備半導體薄膜、塗層和功能材料的化學氣相沉積 (CVD)。
• 奈米材料製備：製作及熱處理奈米碳管、矽導線及薄層材料。
• 鋰電池材料：陰極和陽極材料的 CVD 製程和高溫燒結。
• 陶瓷與粉末冶金：用於陶瓷和金屬粉末的高溫包覆和處理。
• 科學研究：協助創造新材料，並支援學校和實驗室的基礎研究。
• 工業應用：使用 CVD 方法小批量生产精密薄膜和材料。

CVSIC CVD 管式爐特點

• 寬溫範圍：支援 1200℃、1400℃、1600℃ (操作溫度 1100℃、1300℃、1600℃)，滿足多樣化的 CVD 製程需求。
• 高真空性能：7×10-⁴ Pa 的極限真空和 -0.1 MPa 的最大真空度可維持純淨的沉積環境。
• 精確的氣體控制：氣體混合槽和流量計提供精確的 N₂、Ar 和多種氣體調節。
• 靈活的爐管選項：高純度石英管 (1200℃) 或氧化鋁管 (1400℃, 1600℃) 具有耐高溫和耐腐蝕的特性。
• 智慧型溫度控制：50 段 PID 控制確保 ±1℃ 的精確度及 ±5℃ 的均勻度。
• 安全設計：自動斷電保證安全；雙層風冷，使表面溫度低於 50℃。
• 耐用的結構：可調式凸緣設計可延長管件壽命，降低維護需求。
• 高效加熱：加熱速度高達 20℃/分鐘，優化實驗效率。

客製化服務

CVSIC 為您提供完全客製化的解決方案，保證完美符合您獨特的 CVD 製程需求，確保每項規格都能精確達成：

• 爐管客製化：可選擇管徑從 40mm 到 120mm，加熱區長度為 300mm、350mm、400mm 或 450mm。根據您的研究需求，選擇高純度石英或氧化鋁材料。
• 溫度配置：可客製化 1200℃、1400℃ 或 1600℃溫度範圍，以符合特定製程需求。
• 加熱元件：選項包括 HRE 含鉬電阻線、 碳化矽棒或 MoSi2 加熱棒.選擇最適合您的溫度和製程需求的加熱元件。
• 真空與氣體系統：可選擇高真空 (7×10-⁴ Pa)、低真空配置或具有特定氣體類型流量計的多種氣體控制系統。
• 控制系統：可選擇 7 吋 HD 觸控螢幕、遠端操作的 PC 連線軟體或資料記錄功能，以符合您的監控喜好。
• 全球支援：提供安裝指導、操作訓練和維護服務，以確保長期穩定運作。

CVSIC 真空實驗室 CVD 管式爐配件

標準配件

• 管塞：4 件
• 爐管：1 件
• 真空泵：1 台
• 真空密封法蘭：2 組
• 真空計：1 個
• 氣體混合罐：1 個
• 流量計：1 台

選購配件

• 真空系統：旋片泵、擴散泵、分子泵
• 法蘭配件：快拆法蘭、三通法蘭
• 控制系統：7 吋 HD 觸控螢幕

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