Forno tubular PECVD

O forno tubular CVSIC 1200℃ PECVD foi concebido para processos PECVD na investigação e na indústria. Possui uma câmara de fibra de alumina de alta pureza, aquecimento por fio de resistência e uma temperatura máxima de 1200 ℃ (recomendado ≤1100 ℃). A fonte de plasma RF reduz a temperatura de reação e aumenta as taxas de deposição. Controladores de fluxo de massa triplos e um sistema de mistura de gás fornecem controle preciso do fluxo de gás para o crescimento do filme.

Este modelo oferece um controlo programável de 50 segmentos com uma precisão de ±1°C. O seu design de dupla camada mantém as temperaturas da superfície abaixo dos 50°C e o sistema de baixo vácuo assegura a estabilidade do processo. Uma zona de pré-aquecimento melhora a qualidade e a uniformidade da película. O forno tubular CVSIC PECVD suporta processos de deposição, síntese de nanomateriais e plasma para investigação ou produção em pequena escala.

Aplicação do forno tubular CVSIC PECVD

O forno tubular CVSIC PECVD é amplamente utilizado nos seguintes domínios e processos:

• Deposição de películas finas: Preparação de películas metálicas, películas cerâmicas, películas compósitas e películas finas de semicondutores para as indústrias fotovoltaica e microeletrónica.
• Síntese de nanomateriais: Síntese de nanomateriais de elevado desempenho, tais como nanotubos de carbono, grafeno e nanofios de silício.
• Materiais para baterias de lítio: Processos de revestimento PECVD para materiais de eléctrodos de baterias para melhorar o desempenho e a estabilidade.
• Cerâmicas e compósitos: Deposição e tratamento térmico de filmes cerâmicos e compósitos em condições de alta temperatura.
• Aplicações de investigação: Utilizado por universidades e instituições de investigação para o desenvolvimento de novos materiais e estudos de processos de plasma.
• Limpeza e gravação por plasma: Suporta a limpeza da superfície e a gravação da microestrutura para satisfazer as exigências de processamento de precisão.

Caraterísticas do forno tubular CVSIC PECVD

• Elevada taxa de deposição: O plasma RF (13,56 MHz, 500W) permite uma deposição de até 10Å/s.
• Uniformidade superior: A RF multiponto e a alimentação de gás alcançam a uniformidade da película dentro do 8%.
• Alta consistência: A conceção assegura uma variação inferior a 2% entre substratos.
• Processo estável: O equipamento garante operações PECVD contínuas.
• Controlo preciso da temperatura: controlo PID de 50 segmentos, precisão de ±1℃, uniformidade de ±5℃.
• Alto vácuo: vácuo máximo de 7×10-⁴ Pa; máx. -0,1 MPa.
• Segurança: Encerramento automático por excesso de temperatura/vazamento; arrefecido a ar para uma superfície <50°C.
• Construção duradoura: A flange ajustável aumenta a vida útil do tubo e reduz a manutenção.

Serviços de personalização

Confie na CVSIC para fornecer uma personalização abrangente, assegurando que todos os aspectos dos seus requisitos de processo PECVD sejam habilmente combinados para obter resultados máximos:

• Personalização do tubo do forno: Diâmetro do tubo (padrão 100mm, personalizável) e comprimento da zona de aquecimento (220-1650mm).
• Sistema de vácuo: Suporta bombas de palhetas rotativas, bombas de difusão ou bombas moleculares para satisfazer as exigências de vácuo elevado (7×10-⁴ Pa).
• Controlo de gás: Controladores de caudal mássico personalizáveis de três canais ou multicanais (0-100 sccm, 0-200 sccm ou gamas personalizadas).
• Sistema de controlo: Ecrã tátil HD de 7 polegadas opcional, software de conetividade com PC e funcionalidade de registo de dados.
• Caraterísticas adicionais: Módulos expansíveis de limpeza por plasma, gravação ou outros processos especializados.
• Suporte global: Orientação de instalação, formação operacional e serviços de manutenção asseguram um funcionamento estável a longo prazo.

Acessórios para fornos tubulares PECVD

Acessórios standard

• Tubos de bloqueio: 4 peças
• Tubo do forno: 1 unidade
• Bomba de vácuo: 1 unidade
• Flanges de vedação a vácuo: 2 conjuntos
• Medidor de vácuo: 1 unidade
• Sistema de fornecimento de gás e bomba de vácuo: 1 conjunto
• Equipamento de plasma RF: 1 conjunto

Acessórios opcionais

• Sistema de vácuo: Bomba mecânica de palhetas rotativas, bomba de difusão, bomba molecular
• Acessórios para flanges: Flange de libertação rápida, flange em T
• Sistema de controlo: Ecrã tátil HD de 7 polegadas

Especificações do forno tubular CVSIC PECVD

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